全新架构

SRAM和闪存紧密结合,形成统一的存储单位,尤其适合应用于高速MCU。

高速读写

大幅提升系统的开启,切换和唤醒效率,小于10ns的读写时间。

极低功耗

大幅减小MCU的唤醒反应时间,MCU可以更多处于休眠状态以节约功耗。

广阔应用

我们的memory IP可广泛应用于物联网,汽车,工业控制,网络设备,可穿戴设备,AI等广阔市场。